顆粒表面Zeta電位的大小是表征懸浮液和膠體穩(wěn)定性的重要參數。當Zeta電位較高時，粒子之間表現為排斥力大于吸引力，粒子傾向于分散，體系比較穩(wěn)定；當Zeta電位較低時，粒子之間表現為排斥力小于吸引力，粒子傾向于團聚，體系穩(wěn)定性被破壞。

　　測量動態(tài)光散射（DLS）（也被稱為準彈性光散射（QELS））的技術。其他DLS技術包括頻率分析和互相關函數。以懸浮在液體中并由相干光源照亮的微粒所散射的光的強度來測量時間依賴波動納，米級微粒特征描述所采用的主要技術。

　　電位溶出分析法包括兩個獨立而又有聯(lián)系的過程，即富集過程和溶出過程，溶出又有氧化溶出和還原溶出之分。在氧化溶出時，富集電位控制在被測離子還原電位更負一些的電位上，使金屬離子還原生成汞齊而富集于電極表面。電解富集一定時間后，斷開恒電位電路，借助氧化劑（溶解氧或Hg（I）等）的氧化作用使電極表面的汞齊化金屬氧化成離子進入溶液中，即為溶出過程。

　　電聲法zeta電位分析儀特點如下：

　　■超寬動態(tài)光散射測量范圍：0.3~8000nm；

　　■可測納米粒子的三個重要要素：粒子直徑、Zeta電位和分子量；

　　■樣品濃度從ppm到百分之幾十，都能在原液狀態(tài)下取樣和測定；

　　■微量電泳樣品池，可以測定僅100ul的Zeta電位；

　　■廣泛應用于膠質粒子、機能性納米粒子、高分子、膠束、核糖體、納米囊等的測定；

　　■取樣后，僅需按測定開始按鈕即可，操作簡單。

　　電聲法zeta電位分析儀可廣泛應用于生化、臨床分析、衛(wèi)生防疫、環(huán)境監(jiān)測、地質、冶金、化工、農業(yè)、科研等領域中的痕量分析。